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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥31.003455
10
¥29.24854
100
¥27.592962
500
¥26.031096
1000
¥24.557643
STMicroelectronics STGW20V60F
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- 对比
STGW20V60F
2381-STGW20V60F
晶体管 - IGBT - 单个
TO-247-3
大陆
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IGBT Transistors 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop
--最小包装量--
¥
总价: ¥
STGW20V60F详情
STMicroelectronics STGW20V60F重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
工厂交货时间
20 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.3V
Number of Elements
1
Test Conditions
400V, 20A, 15V
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最大功率耗散
167W
基本部件号
STGW20
引脚数量
3
元素配置
Single
功率耗散
167W
输入类型
Standard
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大集电极电流
40A
接通时间
49 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.2V @ 15V, 20A
关断时间-标准值(toff)
173 ns
IGBT类型
沟渠现场停车
闸门收费
116nC
集极脉冲电流(Icm)
80A
Td(开/关)@25°C
38ns/149ns
开关能量
200μJ (on), 130μJ (off)
高度
20.15mm
长度
15.75mm
宽度
5.15mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
STGW20V60F拓展信息
STMicroelectronics
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