STGW20V60F
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STMicroelectronics STGW20V60F

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型号

STGW20V60F

utmel 编号

2381-STGW20V60F

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

TO-247-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IGBT Transistors 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop

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STGW20V60F
STGW20V60F STMicroelectronics IGBT Transistors 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop

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STGW20V60F详情

STMicroelectronics STGW20V60F重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)

  • 工厂交货时间

    20 Weeks

  • 底架

    通孔

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-247-3

  • 引脚数

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    600V

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    2.3V

  • Number of Elements

    1

  • Test Conditions

    400V, 20A, 15V

  • 操作温度

    -55°C~175°C TJ

  • 包装

    Tube

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 最大功率耗散

    167W

  • 基本部件号

    STGW20

  • 引脚数量

    3

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    167W

  • 输入类型

    Standard

  • 晶体管应用

    电源控制

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    600V

  • 最大集电极电流

    40A

  • 接通时间

    49 ns

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

    2.2V @ 15V, 20A

  • 关断时间-标准值(toff)

    173 ns

  • IGBT类型

    沟渠现场停车

  • 闸门收费

    116nC

  • 集极脉冲电流(Icm)

    80A

  • Td(开/关)@25°C

    38ns/149ns

  • 开关能量

    200μJ (on), 130μJ (off)

  • 高度

    20.15mm

  • 长度

    15.75mm

  • 宽度

    5.15mm

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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技术文档: STMicroelectronics STGW20V60F.

右边的3个型号有着和STMicroelectronics & STGW20V60F相似的参数规格。

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