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首页 全部分类 APT25GN120SG vs IXA12IF1200TC

APT25GN120SG备选型号: IXA12IF1200TC

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  • 接通时间
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  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流（Icm）
  • Td（开/关）@25°C
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 资历状况
  • 功率耗散
  • 反向恢复时间
  • JEDEC-95代码
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 达到SVHC
  • Microsemi Corporation
    APT25GN120SG
    Microsemi Corporation
    Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 67A 3-Pin(2 Tab) D3PAK
    25 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
    3
    SILICON
    1.2kV
    1.7V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    1999
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    HIGH RELIABILITY
    272W
    鸥翼
    245
    30
    3
    R-PSSO-G2
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    22 ns
    电源控制
    N-CHANNEL
    1.2kV
    67A
    1200V
    39 ns
    2.1V @ 15V, 25A
    67A
    560 ns
    沟渠现场停车
    155nC
    75A
    22ns/280ns
    6.5V
    5.08mm
    16.05mm
    13.99mm
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • IXYS
    IXA12IF1200TC
    IXYS
    IXYS SEMICONDUCTOR IXA12IF1200TC IGBT Single Transistor, 20 A, 2.1 V, 85 W, 1.2 kV, TO-268AA, 3 Pins
    -
    -
    表面贴装
    -
    TO-268-3
    3
    -
    1.2kV
    1.8V
    -
    -
    -
    yes
    -
    -
    2
    EAR99
    -
    -
    鸥翼
    未说明
    未说明
    3
    R-PSSO-G2
    Single
    -
    -
    -
    电源控制
    N-CHANNEL
    2.1V
    20A
    -
    110 ns
    -
    -
    350 ns
    -
    -
    -
    -
    6.5V
    5.1mm
    16.05mm
    14mm
    -
    符合RoHS标准
    -
    e3
    PURE TIN
    150°C
    -55°C
    不合格
    85W
    350 ns
    TO-268AA
    20V
    无SVHC
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