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首页 全部分类 APT25GP120BDQ1G vs HGTG18N120BN

APT25GP120BDQ1G备选型号: HGTG18N120BN

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  • IGBT类型
  • 闸门收费
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  • Td（开/关）@25°C
  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • HTS代码
  • 功率耗散
  • Microsemi Corporation
    APT25GP120BDQ1G
    Microsemi Corporation
    IGBT 1200V 69A 417W TO247
    32 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    38.000013g
    SILICON
    1.2kV
    3.3V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    POWER MOS 7®
    1999
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    低导通损耗
    1.2kV
    417W
    69A
    3
    R-PSFM-T3
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    1.2kV
    69A
    1200V
    26 ns
    3.9V @ 15V, 25A
    69A
    200 ns
    PT
    110nC
    90A
    12ns/70ns
    500μJ (on), 440μJ (off)
    30V
    6V
    5.31mm
    21.46mm
    16.26mm
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    HGTG18N120BN
    ON Semiconductor
    IGBT 1200V 54A 390W TO247
    14 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    6.39g
    SILICON
    1.2kV
    2.45V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    2001
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    LOW CONDUCTION LOSS, AVALANCHE RATED
    1.2kV
    390W
    54A
    -
    R-PSFM-T3
    Single
    -
    Standard
    MOTOR CONTROL
    N-CHANNEL
    1.2kV
    54A
    1200V
    38 ns
    2.7V @ 15V, 18A
    -
    345 ns
    NPT
    165nC
    165A
    23ns/170ns
    800μJ (on), 1.8mJ (off)
    -
    -
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)
    8541.29.00.95
    390W
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