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首页 全部分类 APT25GP120BDQ1G vs IRG7PH44K10DPBF

APT25GP120BDQ1G备选型号: IRG7PH44K10DPBF

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  • IGBT类型
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  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • 上升时间-最大值
  • 功率 - 最大
  • 反向恢复时间
  • 最大下降时间 (tf)
  • Microsemi Corporation
    APT25GP120BDQ1G
    Microsemi Corporation
    IGBT 1200V 69A 417W TO247
    32 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    38.000013g
    SILICON
    1.2kV
    3.3V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    POWER MOS 7®
    1999
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    低导通损耗
    1.2kV
    417W
    69A
    3
    R-PSFM-T3
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    1.2kV
    69A
    1200V
    26 ns
    3.9V @ 15V, 25A
    69A
    200 ns
    PT
    110nC
    90A
    12ns/70ns
    500μJ (on), 440μJ (off)
    30V
    6V
    5.31mm
    21.46mm
    16.26mm
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRG7PH44K10DPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 1200V 70A 320W TO247AC
    -
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    -
    1.2kV
    2.4V
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    -
    2013
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    320W
    -
    -
    -
    Single
    -
    Standard
    -
    N-CHANNEL
    2.4V
    70A
    1200V
    -
    2.4V @ 15V, 25A
    -
    -
    -
    200nC
    100A
    75ns/315ns
    2.1mJ (on), 1.3mJ (off)
    -
    7.5V
    20.7mm
    15.87mm
    5.31mm
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    3
    70ns
    320W
    130 ns
    115ns
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