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首页 全部分类 APT25GP120BDQ1G vs IXGH32N120A3

APT25GP120BDQ1G备选型号: IXGH32N120A3

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  • 开关能量
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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • 宽度
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  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 功率 - 最大
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  • 输入电容
  • Microsemi Corporation
    APT25GP120BDQ1G
    Microsemi Corporation
    IGBT 1200V 69A 417W TO247
    32 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    38.000013g
    SILICON
    1.2kV
    3.3V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    POWER MOS 7®
    1999
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    低导通损耗
    1.2kV
    417W
    69A
    3
    R-PSFM-T3
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    1.2kV
    69A
    1200V
    26 ns
    3.9V @ 15V, 25A
    69A
    200 ns
    PT
    110nC
    90A
    12ns/70ns
    500μJ (on), 440μJ (off)
    30V
    6V
    5.31mm
    21.46mm
    16.26mm
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • IXYS
    IXGH32N120A3
    IXYS
    IGBT 1200V 75A 300W TO247
    30 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    6.500007g
    SILICON
    1.2kV
    2.35V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    GenX3™
    2011
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    -
    -
    300W
    -
    3
    -
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    1.2kV
    75A
    1200V
    239 ns
    2.35V @ 15V, 32A
    -
    1380 ns
    PT
    89nC
    230A
    -
    -
    20V
    5V
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    3
    未说明
    未说明
    不合格
    300W
    TO-247AD
    2.15nF
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