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APT25GP90BG备选型号: APT43GA90BD30

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  • 额定电流
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 箱体转运
  • 输入类型
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • JEDEC-95代码
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流（Icm）
  • Td（开/关）@25°C
  • 开关能量
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • ECCN 代码
  • 连续集电极电流
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • Microsemi Corporation
    APT25GP90BG
    Microsemi Corporation
    IGBT 900V 72A 417W TO247
    30 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    900V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    POWER MOS 7®
    1999
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    锡银铜
    低导通损耗
    900V
    417W
    72A
    3
    R-PSFM-T3
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    900V
    72A
    TO-247AD
    29 ns
    3.9V @ 15V, 25A
    190 ns
    PT
    110nC
    110A
    13ns/55ns
    370μJ (off)
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    APT43GA90BD30
    Microsemi Corporation
    IGBT 900V 78A 337W TO247
    25 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    900V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    1999
    -
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Pure Matte Tin (Sn)
    低导通损耗
    -
    337W
    -
    3
    R-PSFM-T3
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    900V
    78A
    -
    28 ns
    3.1V @ 15V, 47A
    246 ns
    PT
    116nC
    129A
    12ns/82ns
    875μJ (on), 425μJ (off)
    无
    符合RoHS标准
    -
    38.000013g
    2.5V
    EAR99
    78A
    5.31mm
    21.46mm
    16.26mm
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