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首页 全部分类 APT26F120B2 vs SCT20N120

APT26F120B2备选型号: SCT20N120

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  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
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  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 额定电流
  • 引脚数量
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 质量
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 通道数量
  • 元素配置
  • Microsemi Corporation
    APT26F120B2
    Microsemi Corporation
    MOSFET N-CH 1200V 27A T-MAX
    22 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3 Variant
    3
    SILICON
    27A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    1997
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Pure Matte Tin (Sn)
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
    1.2kV
    SINGLE
    26A
    3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    50 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    650m Ω @ 14A, 10V
    5V @ 2.5mA
    9670pF @ 25V
    300nC @ 10V
    31ns
    1200V
    ±30V
    48 ns
    27A
    30V
    0.58Ohm
    1.2kV
    5.31mm
    21.46mm
    16.26mm
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    SCT20N120
    STMicroelectronics
    MOSFET 1200V silicon carbide MOSFET
    -
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    -
    20A Tc
    -55°C~200°C TJ
    Tube
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    10 ns
    N-Channel
    -
    290m Ω @ 10A, 20V
    3.5V @ 1mA
    650pF @ 400V
    45nC @ 20V
    16ns
    1200V
    +25V, -10V
    17 ns
    20A
    25V
    -
    1.2kV
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    38.000013g
    未说明
    未说明
    SCT20
    1
    Single
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