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首页 全部分类 APT30GN60BG vs HGTG20N60A4

APT30GN60BG备选型号: HGTG20N60A4

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  • IGBT类型
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  • 开关能量
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 触点镀层
  • 引脚数
  • 质量
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 附加功能
  • HTS代码
  • 基本部件号
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • Microsemi Corporation
    APT30GN60BG
    Microsemi Corporation
    Trans IGBT Chip N-CH 600V 63A 3-Pin(3 Tab) TO-247
    24 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    600V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    1999
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    600V
    203W
    63A
    3
    R-PSFM-T3
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    63A
    TO-247AD
    26 ns
    1.9V @ 15V, 30A
    255 ns
    沟渠现场停车
    165nC
    90A
    12ns/155ns
    525μJ (on), 700μJ (off)
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    HGTG20N60A4
    ON Semiconductor
    IGBT 600V 70A 290W TO247
    4 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    600V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2011
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    600V
    290W
    70A
    -
    -
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    70A
    -
    28 ns
    2.7V @ 15V, 20A
    160 ns
    -
    142nC
    280A
    15ns/73ns
    105μJ (on), 150μJ (off)
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    Tin
    3
    6.39g
    1.8V
    低导通损耗
    8541.29.00.95
    HGTG20N60
    290W
    15 ns
    12ns
    20V
    7V
    20.82mm
    15.87mm
    4.82mm
    无SVHC
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