APT30GN60BG备选型号: IKW30N60H3FKSA1
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 额定电流
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 箱体转运
- 输入类型
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- JEDEC-95代码
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 引脚数
- 系列
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 资历状况
- 功率 - 最大
- 反向恢复时间
- Trans IGBT Chip N-CH 600V 63A 3-Pin(3 Tab) TO-24724 Weeks通孔通孔TO-247-3SILICON600V-55°C~175°C TJTube1999e1yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)600V203W63A3R-PSFM-T3SingleCOLLECTORStandard电源控制N-CHANNEL600V63ATO-247AD26 ns1.9V @ 15V, 30A255 ns沟渠现场停车165nC90A12ns/155ns525μJ (on), 700μJ (off)无符合RoHS标准无铅--------
- IGBT 600V 60A 187W TO247-316 Weeks通孔通孔TO-247-3SILICON600V-40°C~175°C TJTube2005e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)-187W-3-Single-Standard电源控制N-CHANNEL600V60A-50 ns2.4V @ 15V, 30A262 ns沟渠现场停车165nC120A21ns/207ns1.38mJ-ROHS3 Compliant无铅3TrenchStop®未说明未说明*KW30N60不合格187W38 ns
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IKW30N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 600V 60A 187W TO247-3 | 对比 |
| FGH40N60UFDTU | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGH40N60UFDTU IGBT Single Transistor, General Purpose, 80 A, 600 V, 290 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pins | 对比 | |
![]() | HGTG20N60A4 | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 600V 70A 290W TO247 | 对比 |





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