APT30GS60KRG备选型号: STGP19NC60HD
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- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 箱体转运
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- JEDEC-95代码
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 引脚数
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 系列
- ECCN 代码
- 基本部件号
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 反向恢复时间
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 无铅
- Trans IGBT Chip N-CH 600V 54A 3-Pin(3 Tab) TO-220通孔通孔TO-220-3SILICON600V-55°C~150°C TJTube2012e1yesObsolete1 (Unlimited)3锡银铜250W3R-PSFM-T3SingleCOLLECTORStandard250WMOTOR CONTROLN-CHANNEL600V54ATO-220AB45 ns3.15V @ 15V, 30A412 nsNPT145nC113A16ns/360ns570μJ (off)30V5V无符合RoHS标准----------------
- STMICROELECTRONICS STGP19NC60HD IGBT Single Transistor, 40 A, 2.5 V, 130 W, 600 V, TO-220, 3 Pins通孔通孔TO-220-3SILICON600V-55°C~150°C TJTube---活跃1 (Unlimited)3-130W3-Single-Standard-电源控制N-CHANNEL600V40ATO-220AB32 ns2.5V @ 15V, 12A272 ns-53nC60A25ns/97ns85μJ (on), 189μJ (off)20V5.75V无ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 8 months ago)8 Weeks32.5VPowerMESH™EAR99STGP19130W25 ns7ns31ns15.75mm10.4mm4.6mm无SVHC无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STGP30H60DF | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-220-3 | IGBT 600V 60A 260W TO220 | 对比 |
![]() | IXGP30N60C3 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-220-3 | IGBT 600V 60A 220W TO220AB | 对比 |
![]() | STGP19NC60HD | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-220-3 | STMICROELECTRONICS STGP19NC60HD IGBT Single Transistor, 40 A, 2.5 V, 130 W, 600 V, TO-220, 3 Pins | 对比 |





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