IXGP30N60C3详情
IXYS IXGP30N60C3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
20 Weeks
包装/外壳
TO-220-3
安装类型
通孔
底架
通孔
引脚数
3
质量
2.299997g
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.6V
Test Conditions
300V, 20A, 5 Ω, 15V
Number of Elements
1
已出版
2009
系列
GenX3™
包装
Tube
操作温度
-55°C~150°C TJ
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最大功率耗散
220W
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
IXG*30N60
引脚数量
3
资历状况
不合格
元素配置
Single
功率耗散
220W
箱体转运
COLLECTOR
输入类型
Standard
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大集电极电流
60A
JEDEC-95代码
TO-220AB
接通时间
45 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
3V @ 15V, 20A
关断时间-标准值(toff)
160 ns
IGBT类型
PT
闸门收费
38nC
集极脉冲电流(Icm)
150A
Td(开/关)@25°C
16ns/42ns
开关能量
270μJ (on), 90μJ (off)
栅极-发射极电压-最大值
20V
栅极-发射极Thr电压-最大值
5.5V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IXGP30N60C3拓展信息
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
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