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首页 全部分类 APT35GA90B vs IXGH50N90B2D1

APT35GA90B备选型号: IXGH50N90B2D1

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  • 接通时间
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  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流（Icm）
  • Td（开/关）@25°C
  • 开关能量
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • 质量
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 已出版
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 资历状况
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 反向恢复时间
  • JEDEC-95代码
  • 无铅
  • Microsemi Corporation
    APT35GA90B
    Microsemi Corporation
    IGBT 900V 63A 290W TO-247
    32 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    900V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    POWER MOS 8™
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    锡银铜
    低导通损耗
    290W
    3
    R-PSFM-T3
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    290W
    电源控制
    N-CHANNEL
    900V
    63A
    25 ns
    3.1V @ 15V, 18A
    298 ns
    PT
    84nC
    105A
    12ns/104ns
    642μJ (on), 382μJ (off)
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • IXYS
    IXGH50N90B2D1
    IXYS
    Trans IGBT Chip N-CH 900V 75A 3-Pin(3 Tab) TO-247AD
    30 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    900V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HiPerFAST™
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    -
    400W
    3
    -
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    -
    电源控制
    N-CHANNEL
    900V
    75A
    48 ns
    2.7V @ 15V, 50A
    820 ns
    PT
    135nC
    200A
    20ns/350ns
    4.7mJ (off)
    -
    ROHS3 Compliant
    3
    6.500007g
    2.2V
    2006
    未说明
    未说明
    IXG*50N90
    不合格
    400W
    20 ns
    200ns
    TO-247AD
    无铅
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