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首页 全部分类 APT35GP120BG vs IRG7PH42UPBF

APT35GP120BG备选型号: IRG7PH42UPBF

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  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
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  • IGBT类型
  • 闸门收费
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  • Td（开/关）@25°C
  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 上升时间-最大值
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 最大下降时间 (tf)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • Microsemi Corporation
    APT35GP120BG
    Microsemi Corporation
    IGBT 1200V 96A 543W TO247
    23 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    1.2kV
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    POWER MOS 7®
    1999
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    ULTRA FAST, LOW CONDUCTION LOSS
    1.2kV
    543W
    96A
    3
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    3.9V
    96A
    TO-247AD
    1200V
    36 ns
    3.9V @ 15V, 35A
    222 ns
    PT
    150nC
    140A
    16ns/94ns
    750μJ (on), 680μJ (off)
    20V
    6V
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRG7PH42UPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 1200V 90A 385W TO247AC
    14 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    -
    1.2kV
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    -
    2005
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    385W
    -
    -
    Single
    -
    Standard
    -
    N-CHANNEL
    2V
    90A
    -
    1200V
    -
    2V @ 15V, 30A
    -
    Trench
    157nC
    -
    25ns/229ns
    2.11mJ (on), 1.18mJ (off)
    -
    6V
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    38.000013g
    1.7V
    41ns
    385W
    25 ns
    86ns
    20.7mm
    15.87mm
    5.3086mm
    无SVHC
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