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首页 全部分类 APT38F80B2 vs FCH47N60

APT38F80B2备选型号: FCH47N60

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 漏源击穿电压
  • Microsemi Corporation
    APT38F80B2
    Microsemi Corporation
    MOSFET N-CH 800V 41A T-MAX
    IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)
    33 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3 Variant
    SILICON
    41A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    POWER MOS 8™
    1997
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Pure Matte Tin (Sn)
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
    SINGLE
    3
    R-PSIP-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    1.04kW
    DRAIN
    46 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    240m Ω @ 20A, 10V
    5V @ 2.5mA
    8070pF @ 25V
    260nC @ 10V
    65ns
    800V
    ±30V
    60 ns
    41A
    TO-247AB
    30V
    0.24Ohm
    800V
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FCH47N60
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V 47A TO-247
    -
    -
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    47A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    SuperFET™
    2004
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    雪崩 额定
    -
    -
    R-PSFM-T3
    -
    增强型MOSFET
    417W
    -
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    70m Ω @ 23.5A, 10V
    5V @ 250μA
    8000pF @ 25V
    270nC @ 10V
    210ns
    -
    ±30V
    75 ns
    47A
    TO-247AB
    30V
    0.07Ohm
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    600V
    未说明
    47A
    未说明
    FCH47N60
    不合格
    Single
    600V
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