ON Semiconductor FCH47N60

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

47A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

417W Tc

Turn Off Delay Time

520 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

SuperFET™

已出版

2004

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

附加功能

雪崩 额定

电压 - 额定直流

600V

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

47A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

FCH47N60

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

417W

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

70m Ω @ 23.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

8000pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

270nC @ 10V

上升时间

210ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

75 ns

连续放电电流(ID)

47A

JEDEC-95代码

TO-247AB

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏极-源极导通最大电阻

0.07Ohm

漏源击穿电压

600V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅