ON Semiconductor FCH47N60NF
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FCH47N60NF
1807-FCH47N60NF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-247-3
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MOSFET 600V N-Chan MOSFET FRFET, SupreMOS
--最小包装量--
FCH47N60NF详情
ON Semiconductor FCH47N60NF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 23 hours ago)
工厂交货时间
15 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
质量
6.39g
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
45.8A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
368W Tc
Turn Off Delay Time
117 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
SupreMOS™
已出版
2013
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
基本部件号
FCH47N60
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
368W
接通延迟时间
34 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
65m Ω @ 23.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
6120pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
157nC @ 10V
上升时间
22ns
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
4 ns
连续放电电流(ID)
45.8A
阈值电压
3V
JEDEC-95代码
TO-247AB
栅极至源极电压(Vgs)
30V
漏极-源极导通最大电阻
0.065Ohm
漏源击穿电压
600V
雪崩能量等级(Eas)
2926 mJ
高度
20.82mm
长度
15.87mm
宽度
4.82mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
FCH47N60NF拓展信息
ON Semiconductor
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