APT40GL120JU3备选型号: HGT1N30N60A4D

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  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
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  • 引脚数
  • 操作温度
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • ECCN 代码
  • 最大功率耗散
  • 配置
  • 功率 - 最大
  • 输入
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最大集极截止电流
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)
  • 输入电容
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
  • IGBT类型
  • NTC热敏电阻
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • RoHS状态
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 功率耗散
  • 无铅
  • Microsemi Corporation
    Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 65A 4-Pin SOT-227
    IN PRODUCTION (Last Updated: 2 weeks ago)
    36 Weeks
    Chassis, Screw, Stud
    Chassis, Stud Mount
    SOT-227-4, miniBLOC
    4
    1.2kV
    -55°C~175°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    220W
    Single
    220W
    Standard
    2.25V
    65A
    250μA
    1200V
    1.95nF
    2.25V @ 15V, 35A
    沟渠现场停车
    20V
    1.95nF @ 25V
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    Trans IGBT Chip N-CH 600V 96A 4-Pin SOT-227 Rail
    -
    -
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SOT-227-4, miniBLOC
    4
    600V
    -55°C~150°C TJ
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    255W
    Single
    -
    Standard
    600V
    96A
    250μA
    -
    -
    2.7V @ 15V, 30A
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    2.7V
    600V
    96A
    225W
    无铅
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