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首页 全部分类 APT40GR120B vs IRG7PH42UPBF

APT40GR120B备选型号: IRG7PH42UPBF

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  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
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  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流（Icm）
  • Td（开/关）@25°C
  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • 质量
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 上升时间-最大值
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 最大下降时间 (tf)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • Microsemi Corporation
    APT40GR120B
    Microsemi Corporation
    Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 88A 3-Pin(3 Tab) TO-247
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    1.2kV
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2001
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    500W
    Single
    Standard
    500W
    N-CHANNEL
    1.2kV
    88A
    1200V
    3.2V @ 15V, 40A
    NPT
    210nC
    160A
    22ns/163ns
    1.38mJ (on), 906μJ (off)
    30V
    6V
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRG7PH42UPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 1200V 90A 385W TO247AC
    14 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    1.2kV
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2005
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    385W
    Single
    Standard
    -
    N-CHANNEL
    2V
    90A
    1200V
    2V @ 15V, 30A
    Trench
    157nC
    -
    25ns/229ns
    2.11mJ (on), 1.18mJ (off)
    -
    6V
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    3
    38.000013g
    1.7V
    41ns
    385W
    25 ns
    86ns
    20.7mm
    15.87mm
    5.3086mm
    无SVHC
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