APT40GR120S备选型号: SKB02N120ATMA1

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  • 集电极发射器电压(VCEO)
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  • 电压 - 集射极击穿(最大值)
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
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  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流(Icm)
  • Td(开/关)@25°C
  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
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  • 端子表面处理
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 反向恢复时间
  • 接通时间
  • 关断时间-标准值(toff)
  • Microsemi Corporation
    APT40GR120 Series 1200 V 88 A 210nC 500 W NPT Type IGBT - D3PAK
    19 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    1.2kV
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2001
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    500W
    Standard
    500W
    N-CHANNEL
    3.2V
    88A
    1200V
    3.2V @ 15V, 40A
    NPT
    210nC
    160A
    22ns/163ns
    1.38mJ (on), 906μJ (off)
    30V
    6V
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 6.2A 3-Pin(2 Tab) TO-263
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    1.2kV
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2007
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    EAR99
    62W
    Standard
    62W
    N-CHANNEL
    1.2kV
    6.2A
    1200V
    3.6V @ 15V, 2A
    NPT
    11nC
    9.6A
    23ns/260ns
    220μJ
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    含铅
    SILICON
    e3
    no
    2
    Tin (Sn)
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    3
    R-PSSO-G2
    不合格
    Single
    COLLECTOR
    电源控制
    无卤素
    50 ns
    40 ns
    375 ns
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