Infineon Technologies SKB02N120ATMA1

工厂交货时间

16 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Number of Elements

1

Test Conditions

800V, 2A, 91 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2007

JESD-609代码

e3

无铅代码

no

零件状态

最后一次购买

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

62W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

功率 - 最大

62W

晶体管应用

电源控制

无卤素

无卤素

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

1.2kV

最大集电极电流

6.2A

反向恢复时间

50 ns

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

接通时间

40 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

3.6V @ 15V, 2A

关断时间-标准值（toff)

375 ns

IGBT类型

NPT

闸门收费

11nC

集极脉冲电流（Icm）

9.6A

Td（开/关）@25°C

23ns/260ns

开关能量

220μJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅