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首页 全部分类 APT50GF120JRDQ3 vs APT46GA90JD40

APT50GF120JRDQ3备选型号: APT46GA90JD40

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  • 接通时间
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  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • NTC热敏电阻
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 系列
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • Microsemi Corporation
    APT50GF120JRDQ3
    Microsemi Corporation
    IGBT MOD 1200V 120A 521W ISOTOP
    29 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    ISOTOP
    4
    30.000004g
    SILICON
    1.2kV
    2.5V
    -55°C~150°C TJ
    1999
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    1.2kV
    521W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    75A
    4
    Single
    ISOLATED
    521W
    电源控制
    N-CHANNEL
    Standard
    1.2kV
    120A
    750μA
    1200V
    5.32nF
    106 ns
    3V @ 15V, 75A
    520 ns
    NPT
    无
    5.32nF @ 25V
    9.6mm
    38.2mm
    25.4mm
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    APT46GA90JD40
    Microsemi Corporation
    IGBT MODULE 900V 87A 284W ISOTOP
    29 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SOT-227-4, miniBLOC
    4
    30.000004g
    SILICON
    900V
    2.5V
    -55°C~150°C TJ
    1999
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    -
    284W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    -
    4
    Single
    ISOLATED
    284W
    电源控制
    N-CHANNEL
    Standard
    900V
    87A
    350μA
    -
    4.17nF
    44 ns
    3.1V @ 15V, 47A
    365 ns
    PT
    无
    4.17nF @ 25V
    9.6mm
    38.2mm
    25.4mm
    符合RoHS标准
    -
    POWER MOS 8™
    EAR99
    LOW CONDUCTION LOSS, UL RECOGNIZED
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