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首页 全部分类 APT50GF120JRDQ3 vs IXYN80N90C3H1

APT50GF120JRDQ3备选型号: IXYN80N90C3H1

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  • 最大集电极电流
  • 最大集极截止电流
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 输入电容
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • NTC热敏电阻
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 系列
  • Microsemi Corporation
    APT50GF120JRDQ3
    Microsemi Corporation
    IGBT MOD 1200V 120A 521W ISOTOP
    29 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    ISOTOP
    4
    30.000004g
    SILICON
    1.2kV
    2.5V
    -55°C~150°C TJ
    1999
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    1.2kV
    521W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    75A
    4
    Single
    ISOLATED
    521W
    电源控制
    N-CHANNEL
    Standard
    1.2kV
    120A
    750μA
    1200V
    5.32nF
    106 ns
    3V @ 15V, 75A
    520 ns
    NPT
    无
    5.32nF @ 25V
    9.6mm
    38.2mm
    25.4mm
    符合RoHS标准
    无铅
    -
  • IXYS
    IXYN80N90C3H1
    IXYS
    IGBT Modules 900V 70A 2.7V XPT IGBTs GenX3 w/ Diode
    8 Weeks
    Chassis Mount, Panel
    底座安装
    SOT-227-4, miniBLOC
    4
    30.000004g
    -
    900V
    2.7V
    -55°C~150°C TJ
    2013
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    500W
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    500W
    -
    -
    Standard
    900V
    115A
    25μA
    -
    4.55nF
    -
    2.7V @ 15V, 80A
    -
    -
    无
    4.55nF @ 25V
    9.6mm
    38.23mm
    25.07mm
    ROHS3 Compliant
    -
    XPT™, GenX3™
  • 添加型号
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