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APT50GN120L2DQ2G备选型号: IXGK120N120A3
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- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
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- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
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- 端子表面处理
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- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 额定电流
- 引脚数量
- 元素配置
- 箱体转运
- 输入类型
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 电压 - 集射极击穿（最大值）
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
- 连续集电极电流
- 关断时间-标准值（toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流（Icm）
- Td（开/关）@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 系列
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 功率耗散
- 栅极-发射极电压-最大值
IGBT 1200V 134A 543W TO26429 Weeks通孔通孔TO-264-3, TO-264AA310.6gSILICON1.2kV1.7V-55°C~150°C TJTube1999e1yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)HIGH RELIABILITY1.2kV543W134A3SingleCOLLECTORStandard28 ns电源控制N-CHANNEL1.2kV134A1200V55 ns2.1V @ 15V, 50A134A600 nsNPT, Trench Field Stop315nC150A28ns/320ns4495μJ (off)6.5V5.21mm26.49mm20.5mm无符合RoHS标准无铅-------
IGBT 1200V 240A 830W TO26430 Weeks通孔通孔TO-264-3, TO-264AA310.000011gSILICON1.2kV1.85V-55°C~150°C TJTube2009e1yes活跃1 (Unlimited)3-锡银铜低导通损耗-830W-3SingleCOLLECTORStandard40 ns电源控制N-CHANNEL1.2kV240A1200V105 ns2.2V @ 15V, 100A-1365 nsPT420nC600A40ns/490ns10mJ (on), 33mJ (off)5V----ROHS3 Compliant无铅GenX3™未说明unknown未说明不合格830W20V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | APT75GN120LG | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-264-3, TO-264AA | Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 200A 3-Pin(3 Tab) TO-264 | 对比 |
| IXGK120N120A3 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-264-3, TO-264AA | IGBT 1200V 240A 830W TO264 | 对比 |
| APT50GF120LRG | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-264-3, TO-264AA | IGBT 1200V 135A 781W TO264 | 对比 |
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