IXYS IXGK120N120A3

工厂交货时间

30 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-264-3, TO-264AA

引脚数

3

质量

10.000011g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.85V

Turn Off Delay Time

490 ns

Test Conditions

960V, 100A, 1 Ω, 15V

Number of Elements

1

已出版

2009

系列

GenX3™

包装

Tube

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

锡银铜

附加功能

低导通损耗

最大功率耗散

830W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率耗散

830W

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

接通延迟时间

40 ns

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

1.2kV

最大集电极电流

240A

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

接通时间

105 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.2V @ 15V, 100A

关断时间-标准值（toff)

1365 ns

IGBT类型

PT

闸门收费

420nC

集极脉冲电流（Icm）

600A

Td（开/关）@25°C

40ns/490ns

开关能量

10mJ (on), 33mJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

5V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅