APT50GP60J备选型号: HGT1N30N60A4D
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- 描述:
- 生命周期状态
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 系列
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 额定电流
- 引脚数量
- 配置
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 输入
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最大集极截止电流
- 输入电容
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- IGBT类型
- NTC热敏电阻
- 输入电容(Cies)@Vce
- RoHS状态
- 无铅
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 功率耗散
- IGBT MOD 600V 100A 329W ISOTOPNOT RECOMMENDED FOR NEW DESIGN (Last Updated: 3 weeks ago)Chassis Mount, Screw底座安装SOT-227-4, miniBLOC4SILICON600V-55°C~150°C TJPOWER MOS 7®1999yes活跃1 (Unlimited)4低导通损耗600V329WUPPERUNSPECIFIED100A4SingleISOLATED电源控制N-CHANNELStandard600V100A500μA5.7nF55 ns2.7V @ 15V, 50A202 nsPT无5.7nF @ 25V符合RoHS标准无铅--
- Trans IGBT Chip N-CH 600V 96A 4-Pin SOT-227 Rail-Chassis Mount, Screw底座安装SOT-227-4, miniBLOC4-600V-55°C~150°C TJ---Obsolete1 (Unlimited)--600V255W--96A-Single---Standard600V96A250μA--2.7V @ 15V, 30A--无-符合RoHS标准无铅2.7V225W
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | APT60GA60JD60 | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 模块 | SOT-227-4, miniBLOC | IGBT MOD 600V 112A 356W ISOTOP | 对比 |
| HGT1N30N60A4D | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 模块 | SOT-227-4, miniBLOC | Trans IGBT Chip N-CH 600V 96A 4-Pin SOT-227 Rail | 对比 | |
![]() | APT65GP60J | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 模块 | SOT-227-4, miniBLOC | IGBT MOD 600V 130A 431W ISOTOP | 对比 |



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