APT50GS60BRDQ2G备选型号: IRGP50B60PDPBF
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- 最大功率耗散
- 元素配置
- 输入类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
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- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
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- IGBT类型
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- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
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- RoHS状态
- 无铅
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- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 极性/通道类型
- JEDEC-95代码
- 接通时间
- 最大结点温度(Tj)
- 关断时间-标准值(toff)
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 最大下降时间 (tf)
- 达到SVHC
- Trans IGBT Chip N-CH 600V 93A 3-Pin(3 Tab) TO-24725 Weeks通孔通孔TO-247-338.000013g600V2.8V-55°C~150°C TJTubeThunderbolt IGBT®1999no活跃1 (Unlimited)415WSingleStandard600V93A25 ns3.15V @ 15V, 50A93ANPT235nC195A16ns/225ns755μJ (off)5.31mm21.46mm16.26mm无符合RoHS标准无铅----------------------
- IGBT 600V 75A 370W TO247AC14 Weeks通孔通孔TO-247-338.000013g600V2V-55°C~150°C TJBulk-2004-最后一次购买1 (Unlimited)370WSingleStandard600V75A50 ns2.6V @ 15V, 50A75ANPT240nC150A34ns/130ns360μJ (on), 380μJ (off)24.99mm15.87mm5.3086mm无ROHS3 Compliant无铅Tin3SILICON3EAR99HIGH RELIABILITY, LOW CONDUCTION LOSS600V75A370WCOLLECTOR33 ns电源控制26nsN-CHANNELTO-247AC59 ns150°C190 ns20V5V65ns无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRGP50B60PDPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 600V 75A 370W TO247AC | 对比 |
![]() | IRGP50B60PD1PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 600V 75A 390W TO247AC | 对比 |
![]() | IRGP4063DPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 600V 96A 330W TO247AC | 对比 |




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