Infineon Technologies IRGP4063DPBF

工厂交货时间

26 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

质量

38.000013g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.14V

Number of Elements

1

Test Conditions

400V, 48A, 10 Ω, 15V

Turn Off Delay Time

145 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

已出版

2006

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

300V

最大功率耗散

330W

额定电流

96A

基本部件号

IRGP4063D

元素配置

Single

功率耗散

330W

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

接通延迟时间

60 ns

晶体管应用

电源控制

上升时间

56ns

漏源电压 (Vdss)

300V

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

2.14V

最大集电极电流

96A

反向恢复时间

115 ns

连续放电电流(ID)

96A

JEDEC-95代码

TO-247AC

接通时间

100 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.14V @ 15V, 48A

关断时间-标准值（toff)

210 ns

IGBT类型

Trench

闸门收费

95nC

集极脉冲电流（Icm）

144A

Td（开/关）@25°C

60ns/145ns

开关能量

625μJ (on), 1.28mJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6.5V

最大下降时间 (tf)

46ns

高度

20.3mm

长度

15.875mm

宽度

5.3mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅