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首页 全部分类 APT50GT120B2RDQ2G vs FGH40T120SMD

APT50GT120B2RDQ2G备选型号: FGH40T120SMD

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  • 生命周期状态
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  • 质量
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  • Reach合规守则
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  • 反向恢复时间
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  • 连续集电极电流
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 宽度
  • 长度
  • 高度
  • Microsemi Corporation
    APT50GT120B2RDQ2G
    Microsemi Corporation
    IGBT 1200V 94A 625W TO247
    29 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    1.2kV
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    Thunderbolt IGBT®
    1999
    e3/e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    PURE MATTE TIN/TIN SILVER COPPER
    625W
    3
    R-PSFM-T3
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    625W
    电源控制
    N-CHANNEL
    1.2kV
    94A
    1200V
    77 ns
    3.7V @ 15V, 50A
    303 ns
    NPT
    340nC
    150A
    24ns/230ns
    2330μJ (off)
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FGH40T120SMD
    ON Semiconductor
    Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 80A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Rail
    4 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    1.2kV
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    -
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    Tin (Sn)
    555W
    -
    -
    Single
    -
    Standard
    -
    -
    N-CHANNEL
    1.2kV
    80A
    1200V
    -
    2.4V @ 15V, 40A
    -
    沟渠现场停车
    370nC
    160A
    40ns/475ns
    2.7mJ (on), 1.1mJ (off)
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    3
    6.39g
    1.8V
    8541.29.00.95
    未说明
    not_compliant
    未说明
    555W
    40 ns
    65 ns
    175°C
    80A
    25V
    7.5V
    4.82mm
    15.87mm
    24.75mm
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