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首页 全部分类 APT50GT120B2RG vs STGWA40M120DF3

APT50GT120B2RG备选型号: STGWA40M120DF3

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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 质量
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • ECCN 代码
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 反向恢复时间
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 达到SVHC
  • Microsemi Corporation
    APT50GT120B2RG
    Microsemi Corporation
    Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 94A 3-Pin(3 Tab) T-MAX
    24 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    1.2kV
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    Thunderbolt IGBT®
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    锡银铜
    625W
    3
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    24 ns
    625W
    电源控制
    N-CHANNEL
    1.2kV
    94A
    1200V
    77 ns
    3.7V @ 15V, 50A
    303 ns
    NPT
    340nC
    150A
    24ns/230ns
    2330μJ (off)
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STGWA40M120DF3
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STGWA40M120DF3 IGBT Single Transistor, 80 A, 1.85 V, 468 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins
    30 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    -
    1.2kV
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    -
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    468W
    -
    Single
    -
    Standard
    -
    468W
    -
    N-CHANNEL
    1.2kV
    80A
    1200V
    -
    2.3V @ 15V, 40A
    -
    沟渠现场停车
    125nC
    160A
    35ns/140ns
    1.03mJ (on), 480μJ (off)
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    38.000013g
    1.85V
    EAR99
    未说明
    未说明
    STGWA40
    355 ns
    20V
    7V
    无SVHC
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