Microsemi Corporation APT35GN120BG

工厂交货时间

24 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

质量

38.000013g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.7V

Number of Elements

1

Test Conditions

800V, 35A, 2.2 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

1999

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

附加功能

HIGH RELIABILITY

电压 - 额定直流

1.2kV

最大功率耗散

379W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

94A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

1.2kV

最大集电极电流

94A

JEDEC-95代码

TO-247AD

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

接通时间

46 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.1V @ 15V, 35A

连续集电极电流

94A

关断时间-标准值（toff)

465 ns

IGBT类型

NPT, Trench Field Stop

闸门收费

220nC

集极脉冲电流（Icm）

105A

Td（开/关）@25°C

24ns/300ns

开关能量

2.315mJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

30V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6.5V

高度

5.31mm

长度

21.46mm

宽度

16.26mm

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅