APT50GT60BRG备选型号: STGW50HF60SD
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 额定电流
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 箱体转运
- 输入类型
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- JEDEC-95代码
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 引脚数
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 基本部件号
- 功率耗散
- 反向恢复时间
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 达到SVHC
- IGBT 600V 110A 446W TO24724 Weeks通孔通孔TO-247-3SILICON600V-55°C~150°C TJTubeThunderbolt IGBT®1999e1yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)600V446W110A3R-PSFM-T3SingleCOLLECTORStandard电源控制N-CHANNEL600V110ATO-247AD46 ns2.5V @ 15V, 50A365 nsNPT240nC150A14ns/240ns995μJ (on), 1070μJ (off)无符合RoHS标准无铅--------
- STMICROELECTRONICS STGW50HF60SD IGBT Single Transistor, 110 A, 600 V, 284 W, 600 V, TO-247, 3 Pins-通孔通孔TO-247-3SILICON600V-55°C~150°C TJTube--e3-Obsolete1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)-284W---Single-Standard电源控制N-CHANNEL600V110A-69 ns1.45V @ 15V, 30A950 ns-200nC130A50ns/220ns250μJ (on), 4.2mJ (off)无ROHS3 Compliant-31.15VSTGW50284W67 ns20V5.7V无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FGH40N60UFDTU | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGH40N60UFDTU IGBT Single Transistor, General Purpose, 80 A, 600 V, 290 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pins | 对比 | |
![]() | IKW50N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 600V 100A 333W TO247-3 | 对比 |
![]() | STGW50HF60S | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 600V 110A 284W TO247 | 对比 |





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