STMicroelectronics STGW50HF60SD

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.15V

Number of Elements

1

Test Conditions

400V, 30A, 10 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

284W

基本部件号

STGW50

元素配置

Single

功率耗散

284W

输入类型

Standard

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

110A

反向恢复时间

67 ns

接通时间

69 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

1.45V @ 15V, 30A

关断时间-标准值（toff)

950 ns

闸门收费

200nC

集极脉冲电流（Icm）

130A

Td（开/关）@25°C

50ns/220ns

开关能量

250μJ (on), 4.2mJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

5.7V

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant