Infineon Technologies IKW50N60H3FKSA1

工厂交货时间

16 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Number of Elements

1

Test Conditions

400V, 50A, 7 Ω, 15V

操作温度

-40°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

TrenchStop®

已出版

2008

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

333W

引脚数量

3

元素配置

Single

输入类型

Standard

功率 - 最大

333W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

100A

反向恢复时间

130 ns

接通时间

54 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.3V @ 15V, 50A

关断时间-标准值（toff)

297 ns

IGBT类型

沟渠现场停车

闸门收费

315nC

集极脉冲电流（Icm）

200A

Td（开/关）@25°C

23ns/235ns

开关能量

2.36mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅