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APT6021SFLLG备选型号: STB34NM60ND
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- 电压 - 额定直流
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- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 输入电容
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 附加功能
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- Vgs（最大值）
- 阈值电压
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(2 Tab) D3PAKIN PRODUCTION (Last Updated: 4 weeks ago)36 Weeks表面贴装表面贴装TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA3D3 [S]29A TcTubePOWER MOS 7®1997活跃1 (Unlimited)150°C-55°C600V29A400W10 nsN-Channel210mOhm @ 14.5A, 10V5V @ 1mA3470pF @ 25V80nC @ 10V7ns600V4 ns29A30V3.47nF无符合RoHS标准无铅-------------------------
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK-26 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3-29A TcCut Tape (CT)FDmesh™ II-活跃1 (Unlimited)----190W30 nsN-Channel110m Ω @ 14.5A, 10V5V @ 250μA2785pF @ 50V80.4nC @ 10V53.4ns600V61.8 ns29A25V-无ROHS3 Compliant无铅SILICON150°C TJe32EAR99110MOhmMatte Tin (Sn) - annealedULTRA-LOW RESISTANCE鸥翼24530STB34N4R-PSSO-G2Single增强型MOSFETDRAINSWITCHING±25V4V650V4.6mm10.75mm10.4mm无SVHC- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STB40N60M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET POWER MOSFET | 对比 |
| STB34NM60ND | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK | 对比 |
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