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APT6021SFLLG备选型号: STB40N60M2
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- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
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- 栅极至源极电压(Vgs)
- 输入电容
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- RoHS状态
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- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 终止次数
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- 终端形式
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- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
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- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
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- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(2 Tab) D3PAKIN PRODUCTION (Last Updated: 4 weeks ago)36 Weeks表面贴装表面贴装TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA3D3 [S]29A TcTubePOWER MOS 7®1997活跃1 (Unlimited)150°C-55°C600V29A400W10 nsN-Channel210mOhm @ 14.5A, 10V5V @ 1mA3470pF @ 25V80nC @ 10V7ns600V4 ns29A30V3.47nF无符合RoHS标准无铅--------------------
MOSFET POWER MOSFET-26 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB--34A TcCut Tape (CT)MDmesh™ II Plus-活跃1 (Unlimited)-----20.5 nsN-Channel88m Ω @ 17A, 10V4V @ 250μA2500pF @ 100V57nC @ 10V13.5ns600V11 ns34A25V--ROHS3 Compliant无铅Tin3.949996gSILICON-55°C~150°C TJ2EAR99鸥翼未说明未说明STB40NR-PSSO-G21Single增强型MOSFETDRAINSWITCHING±25V0.088Ohm600V500 mJ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STB40N60M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET POWER MOSFET | 对比 |
| STB34NM60ND | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK | 对比 |
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