APT60GF120JRDQ3备选型号: APT100GT120JRDQ4
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 额定电流
- 配置
- 功率 - 最大
- 输入
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最大集极截止电流
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 输入电容
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- IGBT类型
- NTC热敏电阻
- 栅极-发射极电压-最大值
- 输入电容(Cies)@Vce
- RoHS状态
- 无铅
- 晶体管元件材料
- 系列
- 终止次数
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 引脚数量
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 接通时间
- 关断时间-标准值(toff)
- VCEsat-最大值
- IGBT MOD 1200V 149A 625W ISOTOP29 WeeksChassis Mount, Screw底座安装ISOTOP41.2kV-55°C~150°C TJ1999no活跃1 (Unlimited)EAR991.2kV625W115ASingle625WStandard1.2kV149A350μA1200V7.08nF3V @ 15V, 100ANPT无30V7.08nF @ 25V符合RoHS标准无铅-------------
- IGBT MOD 1200V 123A 570W ISOTOP29 WeeksChassis Mount, Screw底座安装ISOTOP41.2kV-55°C~150°C TJ2001-活跃1 (Unlimited)EAR99-570W-Single570WStandard1.2kV123A200μA1200V7.85nF3.7V @ 15V, 100ANPT无20V7.85nF @ 25V符合RoHS标准-SILICONThunderbolt IGBT®4HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZEDUPPERUNSPECIFIED4ISOLATED电源控制N-CHANNEL150 ns747 ns3.7 V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | APT100GT120JRDQ4 | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 模块 | ISOTOP | IGBT MOD 1200V 123A 570W ISOTOP | 对比 |
![]() | APT75GP120J | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 模块 | ISOTOP | Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 128A 4-Pin SOT-227 | 对比 |




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