Microsemi Corporation APT60GF120JRDQ3
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APT60GF120JRDQ3
1619-APT60GF120JRDQ3
晶体管 - IGBT - 模块
ISOTOP
大陆
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IGBT MOD 1200V 149A 625W ISOTOP
1最小包装量--
APT60GF120JRDQ3详情
Microsemi Corporation APT60GF120JRDQ3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
29 Weeks
底架
Chassis Mount, Screw
安装类型
底座安装
包装/外壳
ISOTOP
引脚数
4
Collector-Emitter Breakdown Voltage
1.2kV
Number of Elements
1
操作温度
-55°C~150°C TJ
已出版
1999
无铅代码
no
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
电压 - 额定直流
1.2kV
最大功率耗散
625W
额定电流
115A
配置
Single
功率 - 最大
625W
输入
Standard
集电极发射器电压(VCEO)
1.2kV
最大集电极电流
149A
最大集极截止电流
350μA
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
输入电容
7.08nF
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
3V @ 15V, 100A
IGBT类型
NPT
NTC热敏电阻
无
栅极-发射极电压-最大值
30V
输入电容(Cies)@Vce
7.08nF @ 25V
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
APT60GF120JRDQ3拓展信息
Microsemi Corporation
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