APT60GF120JRDQ3备选型号: APT85GR120JD60

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  • 电压 - 集射极击穿(最大值)
  • 输入电容
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
  • IGBT类型
  • NTC热敏电阻
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Microsemi Corporation
    IGBT MOD 1200V 149A 625W ISOTOP
    29 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    ISOTOP
    4
    1.2kV
    -55°C~150°C TJ
    1999
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    1.2kV
    625W
    115A
    Single
    625W
    Standard
    1.2kV
    149A
    350μA
    1200V
    7.08nF
    3V @ 15V, 100A
    NPT
    30V
    7.08nF @ 25V
    符合RoHS标准
    无铅
  • Microsemi Corporation
    IGBT MOD 1200V 116A 543W SOT227
    30 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SOT-227-4, miniBLOC
    4
    1.2kV
    -55°C~150°C TJ
    2001
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    543W
    -
    Single
    543W
    Standard
    1.2kV
    116A
    1.1mA
    1200V
    8.4nF
    3.2V @ 15V, 85A
    NPT
    -
    8.4nF @ 25V
    符合RoHS标准
    无铅
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