APT60N60SCSG/TR备选型号: STB27NM60ND

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 供应商器件包装
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 输入电容
  • 场效应管特性
  • 最大rds
  • RoHS状态
  • JESD-609代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 基本部件号
  • 配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间(典型值)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Microsemi Corporation
    MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    D3Pak
    60A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™
    2011
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    N-Channel
    45mOhm @ 44A, 10V
    3.9V @ 3mA
    7200pF @ 25V
    190nC @ 10V
    600V
    ±30V
    60A
    7.2nF
    超级交界处
    45 mΩ
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    -
    21A Tc
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, FDmesh™ II
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    N-Channel
    160m Ω @ 10.5A, 10V
    5V @ 250μA
    2400pF @ 50V
    80nC @ 10V
    600V
    ±25V
    21A
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    e3
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - annealed
    STB27N
    Single
    160W
    60 ns
    30ns
    40 ns
    25V
    无铅
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IPB65R045C7ATMA1 IPB65R045C7ATMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET N-CH 650V 46A TO-263-3 对比
STB40N60M2 STB40N60M2 STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET POWER MOSFET 对比
IPB60R099CPAATMA1 IPB60R099CPAATMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3 对比