APT64GA90B2D30备选型号: APT40GP90BG

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  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 最大功率耗散
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 箱体转运
  • 输入类型
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • JEDEC-95代码
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
  • 关断时间-标准值(toff)
  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流(Icm)
  • Td(开/关)@25°C
  • 开关能量
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 已出版
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 无铅
  • Microsemi Corporation
    Trans IGBT Chip N-CH 900V 117A 3-Pin(3 Tab) TO-247
    29 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3 Variant
    SILICON
    900V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    POWER MOS 8™
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    低导通损耗
    500W
    3
    R-PSIP-T3
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    500W
    电源控制
    N-CHANNEL
    900V
    117A
    TO-247AD
    44 ns
    3.1V @ 15V, 38A
    352 ns
    PT
    162nC
    193A
    18ns/131ns
    1192μJ (on), 1088μJ (off)
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    IGBT 900V 100A 543W TO247
    -
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    900V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    POWER MOS 7®
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    锡银铜
    低导通损耗
    543W
    3
    R-PSFM-T3
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    -
    电源控制
    N-CHANNEL
    900V
    100A
    TO-247AD
    43 ns
    3.9V @ 15V, 40A
    215 ns
    PT
    145nC
    160A
    16ns/75ns
    825μJ (off)
    符合RoHS标准
    NOT RECOMMENDED FOR NEW DESIGN (Last Updated: 1 month ago)
    1999
    900V
    100A
    无铅
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