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首页 全部分类 APT64GA90B2D30 vs IXYH40N90C3

APT64GA90B2D30备选型号: IXYH40N90C3

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  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流（Icm）
  • Td（开/关）@25°C
  • 开关能量
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 已出版
  • 功率耗散
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 无铅
  • Microsemi Corporation
    APT64GA90B2D30
    Microsemi Corporation
    Trans IGBT Chip N-CH 900V 117A 3-Pin(3 Tab) TO-247
    29 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3 Variant
    SILICON
    900V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    POWER MOS 8™
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    低导通损耗
    500W
    3
    R-PSIP-T3
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    500W
    电源控制
    N-CHANNEL
    900V
    117A
    TO-247AD
    44 ns
    3.1V @ 15V, 38A
    352 ns
    PT
    162nC
    193A
    18ns/131ns
    1192μJ (on), 1088μJ (off)
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • IXYS
    IXYH40N90C3
    IXYS
    IGBT Transistors GenX3 900V XPT IGBTs
    28 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    900V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    GenX3™, XPT™
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    -
    600W
    -
    -
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    -
    电源控制
    N-CHANNEL
    900V
    105A
    TO-247AD
    81 ns
    2.5V @ 15V, 40A
    237 ns
    -
    74nC
    200A
    27ns/78ns
    1.9mJ (on), 1mJ (off)
    -
    ROHS3 Compliant
    3
    2.2V
    2013
    600W
    20V
    5.5V
    无铅
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