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首页 全部分类 APT64GA90LD30 vs IXXK110N65B4H1

APT64GA90LD30备选型号: IXXK110N65B4H1

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  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • Reach合规守则
  • 基本部件号
  • 功率耗散
  • 反向恢复时间
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 无铅
  • Microsemi Corporation
    APT64GA90LD30
    Microsemi Corporation
    Trans IGBT Chip N-CH 900V 117A 3-Pin(3 Tab) TO-264
    29 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-264-3, TO-264AA
    10.6g
    SILICON
    900V
    2.5V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    POWER MOS 8™
    1999
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    低导通损耗
    500W
    3
    R-PSFM-T3
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    900V
    117A
    44 ns
    3.1V @ 15V, 38A
    117A
    352 ns
    PT
    162nC
    193A
    18ns/131ns
    1192μJ (on), 1088μJ (off)
    5.21mm
    26.49mm
    20.5mm
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • IXYS
    IXXK110N65B4H1
    IXYS
    IGBT Transistors 650V/240A TRENCH IGBT GENX4 XPT
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-264-3, TO-264AA
    -
    -
    400V, 55A, 2 Ω, 15V
    1.75V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    GenX4™, XPT™
    2013
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    880W
    -
    -
    Single
    -
    Standard
    -
    N-CHANNEL
    650V
    240A
    -
    2.1V @ 15V, 110A
    -
    -
    PT
    183nC
    630A
    38ns/156ns
    2.2mJ (on), 1.05mJ (off)
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    unknown
    110N65
    880W
    100 ns
    20V
    6.5V
    无铅
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