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首页 全部分类 APT64GA90LD30 vs IXYK140N90C3

APT64GA90LD30备选型号: IXYK140N90C3

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  • IGBT类型
  • 闸门收费
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  • 开关能量
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 端子位置
  • 配置
  • 功率 - 最大
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 无铅
  • Microsemi Corporation
    APT64GA90LD30
    Microsemi Corporation
    Trans IGBT Chip N-CH 900V 117A 3-Pin(3 Tab) TO-264
    29 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-264-3, TO-264AA
    10.6g
    SILICON
    900V
    2.5V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    POWER MOS 8™
    1999
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    低导通损耗
    500W
    3
    R-PSFM-T3
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    900V
    117A
    44 ns
    3.1V @ 15V, 38A
    117A
    352 ns
    PT
    162nC
    193A
    18ns/131ns
    1192μJ (on), 1088μJ (off)
    5.21mm
    26.49mm
    20.5mm
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • IXYS
    IXYK140N90C3
    IXYS
    IGBT 900V 310A 1630W TO264
    28 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-264-3, TO-264AA
    -
    SILICON
    900V
    -
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    GenX3™, XPT™
    2013
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    -
    1.63kW
    -
    R-PSFM-T3
    -
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    2.7V
    310A
    122 ns
    2.7V @ 15V, 140A
    -
    300 ns
    -
    330nC
    840A
    40ns/145ns
    4.3mJ (on), 4mJ (off)
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    SINGLE
    SINGLE
    1630W
    20V
    5.5V
    无铅
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