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首页 全部分类 APT65GP60J vs APT150GN60J

APT65GP60J备选型号: APT150GN60J

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  • 底架
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  • 晶体管元件材料
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  • JESD-609代码
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  • 配置
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 输入
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最大集极截止电流
  • 输入电容
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • NTC热敏电阻
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 接通延迟时间
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • Microsemi Corporation
    APT65GP60J
    Microsemi Corporation
    IGBT MOD 600V 130A 431W ISOTOP
    NOT RECOMMENDED FOR NEW DESIGN (Last Updated: 3 weeks ago)
    2 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SOT-227-4, miniBLOC
    4
    SILICON
    600V
    -55°C~150°C TJ
    POWER MOS 7®
    1999
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    低导通损耗
    600V
    431W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    130A
    4
    Single
    ISOLATED
    电源控制
    N-CHANNEL
    Standard
    600V
    130A
    1mA
    7.4nF
    84 ns
    2.7V @ 15V, 65A
    219 ns
    PT
    无
    20V
    7.4nF @ 25V
    6V
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    APT150GN60J
    Microsemi Corporation
    IGBT MOD 600V 220A 536W ISOTOP
    -
    24 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    ISOTOP
    4
    SILICON
    600V
    -55°C~175°C TJ
    -
    1999
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    UL RECOGNIZED, HIGH RELIABILITY
    600V
    536W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    220A
    4
    Single
    ISOLATED
    电源控制
    N-CHANNEL
    Standard
    600V
    220A
    25μA
    9.2nF
    154 ns
    1.85V @ 15V, 150A
    575 ns
    沟渠现场停车
    无
    30V
    9.2nF @ 25V
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    30.000004g
    1.5V
    44 ns
    9.6mm
    38.2mm
    25.4mm
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