您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 APT65GP60J vs APT50GP60J

APT65GP60J备选型号: APT50GP60J

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 额定电流
  • 引脚数量
  • 配置
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 输入
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最大集极截止电流
  • 输入电容
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • NTC热敏电阻
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Microsemi Corporation
    APT65GP60J
    Microsemi Corporation
    IGBT MOD 600V 130A 431W ISOTOP
    NOT RECOMMENDED FOR NEW DESIGN (Last Updated: 3 weeks ago)
    2 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SOT-227-4, miniBLOC
    4
    SILICON
    600V
    -55°C~150°C TJ
    POWER MOS 7®
    1999
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    低导通损耗
    600V
    431W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    130A
    4
    Single
    ISOLATED
    电源控制
    N-CHANNEL
    Standard
    600V
    130A
    1mA
    7.4nF
    84 ns
    2.7V @ 15V, 65A
    219 ns
    PT
    无
    20V
    7.4nF @ 25V
    6V
    符合RoHS标准
    无铅
  • Microsemi Corporation
    APT50GP60J
    Microsemi Corporation
    IGBT MOD 600V 100A 329W ISOTOP
    NOT RECOMMENDED FOR NEW DESIGN (Last Updated: 3 weeks ago)
    -
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SOT-227-4, miniBLOC
    4
    SILICON
    600V
    -55°C~150°C TJ
    POWER MOS 7®
    1999
    -
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    -
    低导通损耗
    600V
    329W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    100A
    4
    Single
    ISOLATED
    电源控制
    N-CHANNEL
    Standard
    600V
    100A
    500μA
    5.7nF
    55 ns
    2.7V @ 15V, 50A
    202 ns
    PT
    无
    -
    5.7nF @ 25V
    -
    符合RoHS标准
    无铅
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
APT150GN60J APT150GN60J Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 ISOTOP IGBT MOD 600V 220A 536W ISOTOP 对比
APT60GA60JD60 APT60GA60JD60 Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 SOT-227-4, miniBLOC IGBT MOD 600V 112A 356W ISOTOP 对比
HGT1N30N60A4D HGT1N30N60A4D ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 模块 SOT-227-4, miniBLOC Trans IGBT Chip N-CH 600V 96A 4-Pin SOT-227 Rail 对比