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首页 全部分类 APT68GA60B2D40 vs STGW80V60DF

APT68GA60B2D40备选型号: STGW80V60DF

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  • 集电极发射器电压(VCEO)
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  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流（Icm）
  • Td（开/关）@25°C
  • 开关能量
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 质量
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 基本部件号
  • 反向恢复时间
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Microsemi Corporation
    APT68GA60B2D40
    Microsemi Corporation
    IGBT 600V 121A 520W TO-247
    25 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3 Variant
    3
    SILICON
    600V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    POWER MOS 8™
    1999
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    低导通损耗
    520W
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    520W
    电源控制
    N-CHANNEL
    2.5V
    121A
    TO-247AD
    46 ns
    2.5V @ 15V, 40A
    304 ns
    PT
    198nC
    202A
    21ns/133ns
    715μJ (on), 607μJ (off)
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STGW80V60DF
    STMicroelectronics
    IGBT 600V 120A 469W TO247
    20 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3 Exposed Pad
    3
    -
    600V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    -
    -
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    469W
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    Standard
    469W
    -
    N-CHANNEL
    600V
    120A
    -
    -
    2.3V @ 15V, 80A
    -
    沟渠现场停车
    448nC
    240A
    60ns/220ns
    1.8mJ (on), 1mJ (off)
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    38.000013g
    1.85V
    STGW80
    60 ns
    20V
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    无SVHC
    无
    无铅
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