APT70SM70S备选型号: FCB070N65S3
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 操作温度
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 终端形式
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 通道数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 最大结点温度(Tj)
- 高度
- 达到SVHC
- POWER MOSFET - SIC22 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB65A Tc-55°C~175°C TJBulkObsolete1 (Unlimited)2EAR99SINGLE鸥翼R-PSSO-G2Single增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING70m Ω @ 32.5A, 20V2.5V @ 1mA125nC @ 20V700V+25V, -10V65A50A0.09Ohm117A700V符合RoHS标准------------------------
- FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCB070N65S3 Power MOSFET, N Channel, 44 A, 650 V, 0.062 ohm, 10 V, 4.5 VNew13 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB44A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)活跃1 (Unlimited)2EAR99-鸥翼R-PSSO-G2-增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING70m Ω @ 22A, 10V4.5V @ 4.4mA78nC @ 10V-±30V44A-0.07Ohm--ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 3 days ago)31.31247gSILICONSuperFET® III2016e3yesTin (Sn)AVALANCHE RATED, HIGH VOLTAGE245not_compliant未说明1Single312W26 ns3090pF @ 400V4.5V30V650V150°C4.83mm无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPB65R045C7ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 650V 46A TO-263-3 | 对比 |
![]() | STB40N60M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET POWER MOSFET | 对比 |
![]() | STB43N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 650V 42A | 对比 |





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