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APT70SM70S备选型号: STB40N60M2
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- 终端形式
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- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- RoHS状态
- 触点镀层
- 质量
- 晶体管元件材料
- 系列
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- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 通道数量
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 无铅
POWER MOSFET - SIC22 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB65A Tc-55°C~175°C TJBulkObsolete1 (Unlimited)2EAR99SINGLE鸥翼R-PSSO-G2Single增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING70m Ω @ 32.5A, 20V2.5V @ 1mA125nC @ 20V700V+25V, -10V65A50A0.09Ohm117A700V符合RoHS标准----------------
MOSFET POWER MOSFET26 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB34A Tc-55°C~150°C TJCut Tape (CT)活跃1 (Unlimited)2EAR99-鸥翼R-PSSO-G2-增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING88m Ω @ 17A, 10V4V @ 250μA57nC @ 10V600V±25V34A-0.088Ohm-600VROHS3 CompliantTin3.949996gSILICONMDmesh™ II Plus未说明未说明STB40N1Single20.5 ns2500pF @ 100V13.5ns11 ns25V500 mJ无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPB65R045C7ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 650V 46A TO-263-3 | 对比 |
| STB40N60M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET POWER MOSFET | 对比 |
| STB43N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 650V 42A | 对比 |
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