STMicroelectronics STB43N65M5

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

晶体管元件材料

SILICON

制造商包装标识符

D2PAK-0079457-A2

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

42A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

250W Tc

Turn Off Delay Time

12 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

系列

Automotive, AEC-Q101, MDmesh™

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

STB43N

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

250W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

73 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

63m Ω @ 21A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4400pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

100nC @ 10V

Vgs（最大值）

±25V

连续放电电流(ID)

42A

栅极至源极电压(Vgs)

25V

漏极-源极导通最大电阻

0.063Ohm

漏源击穿电压

650V

雪崩能量等级（Eas）

650 mJ

最大结点温度（Tj）

150°C

高度

4.83mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅