APT75GN120B2G备选型号: IXYH82N120C3
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- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 额定电流
- 引脚数量
- 元素配置
- 箱体转运
- 输入类型
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 系列
- 已出版
- 资历状况
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 功率 - 最大
- JEDEC-95代码
- 栅极-发射极电压-最大值
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- IGBT 1200V 200A 833W TMAX通孔通孔TO-247-3 Variant3SILICON1.2kV-55°C~150°C TJTubee1yes不用于新设计1 (Unlimited)3EAR99Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)HIGH RELIABILITY1.2kV833W200A3SingleCOLLECTORStandard电源控制N-CHANNEL1.2kV200A1200V101 ns2.1V @ 15V, 75A925 ns沟渠现场停车425nC225A60ns/620ns8045μJ (on), 7640μJ (off)6.5V无符合RoHS标准无铅--------------
- IGBT 1200V 200A 1250W TO247AD通孔通孔TO-247-33SILICON1.2kV-55°C~175°C TJTube--活跃1 (Unlimited)3EAR99-雪崩 额定-1.25kW-3SingleCOLLECTORStandard电源控制N-CHANNEL1.2kV200A1200V119 ns3.2V @ 15V, 82A295 ns-215nC380A29ns/192ns4.95mJ (on), 2.78mJ (off)5V-ROHS3 Compliant无铅28 Weeks2.75VGenX3™, XPT™2008不合格1.04kW29 ns1250WTO-247AD20V21.46mm16.26mm5.3mm无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NGTB40N120FL3WG | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 1200V 160A TO247 | 对比 | |
![]() | IXYH82N120C3 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 1200V 200A 1250W TO247AD | 对比 |
![]() | IRG7PH50UPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 1200V 140A 556W TO247AC | 对比 |





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